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FDS8884

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,8.5A,23mΩ
PC开关脉冲光电二极管晶体管
0 ONSEMI

NTMFS0D8N03CT1G

MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
暂无信息
1 ONSEMI

ATP113-TL-H

P 沟道,功率 MOSFET,-60V,-35A,29.5mΩ
PC仪表
0 ONSEMI

GRM1883C1H3R7CA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FDD120AN15A0

N 沟道 PowerTrench® MOSFET,150V,14A,120mΩ
开关晶体管
1 ONSEMI

FDD86381-F085

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80 V,25 A,21 mΩ
开关晶体管
0 ONSEMI

MMBZ20VALYFH

MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
电子瞬态抑制二极管
0 ROHM

GRM0333C1H2R7WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0225C1C7R3WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

HGTG11N120CND

1200 V NPT IGBT
局域网瞄准线双极性晶体管功率控制
0 ONSEMI

GRM188R71C105KE15#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BM61M22BFJ-C

本品为内置绝缘电压2500Vrms、最大输入输出延迟时间60ns、最小输入脉冲宽度60ns的绝缘元件的栅极驱动器。内置低电压时误动作防止功能(UVLO)。
栅极驱动脉冲驱动器
0 ROHM

MMBF4117

N 沟道开关
开关光电二极管晶体管
0 ONSEMI

GRM155B11H182JA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0115C1C1R4WE11#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA