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WGW15G120 参数 Datasheet PDF下载

WGW15G120图片预览
型号: WGW15G120
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内容描述: 低损耗IGBT [Low Loss IGBT]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 350 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WGW15G120
电气特性
(Tc=25
℃)
特征
门体漏电流
符号
I
GES
测试条件
V
GS
=±30V,V
CE
=0V
I
C
=0.5mA,V
GE
=0V
-
1200
-
典型值
-
-
2.4
2.8
3.0
最大
±100
-
3.5
-
-
0.2
2.0
2.5
6.5
-
-
-
2600
200
140
-
-
单位
nA
V
集电极 - 发射极击穿电压V
( BR ) CES
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= 15A ,V
GE
=15V
Tc=125℃
Tc=150℃
-
V
-
-
-
-
10
90
85
1700
128
880
25
60
20
95
58
32
26
V
CE
=1200V,
零栅极电压集电极电流
I
CES
V
GE
=0V
Tc=150℃
栅极阈值电压
正向跨导
总之集电极电流
总栅极电荷
输入电容
反向传输电容
输出电容
导通延迟时间
SWITCHI
NG时
关OnRise时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
开启能量
关闭能源
总swiitching能源
V
GE (日)
政府飞行服务队
IC ( SC )
Q
g
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
E
on
E
关闭
E
V
CE
=600V,
I
C
=15A
R
G
=56Ω
V
CE
=600V,
I
C
=15A
R
G
=56Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mJ
V
CE
=V
GE
,I
D
=0.6mA
V
CE
=20V,I
D
=15A
V
GE
=15V, V
CE
=600, t
sc
<10μs
V
CE
= 960V ,我
C
= 15A ,V
GE
=15V
V
CE
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
-
4.5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
S
A
nC
Tc=100℃
-
mA
pF
ns
反Parallet二极管特性
(Ta=25
)
特征
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
I
S
=15A,V
GS
=0V
I
S
=10A,V
GS
=0V,
R
=800V
dI
DR
/ DT = 750 A / μs的
-
-
-
TYPE
-
150
1.2
最大
-2.7
-
-
单位
V
ns
µC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
短路2.Allowed号: <1000 ;时间
3.Pulse测试:脉冲Width≤300us ,职务Cycle≤2 %
4.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,全方位为您提前