WFY6N02
WFY
20V N沟道MOSFET
特点
■ 6A ， 20V ，R
DS （ ON）
（最大40MΩ ） @V
=4.5V
■ 1.8 V额定的低电压栅极驱动器
■ SOT- 23表面贴装的小型封装
•单脉冲能量额定雪崩
•符合RoHS
概述
属德
该MOSFET采用Winsemi先进的MOS产
技术。这项最新的技术已经特别设计
最大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固雪崩
的特点。该设备是专非常适合负载
开关和PA切换。
D
S
G
SOT-23
SOT
绝对最大额定值
(
TC = 25℃除非另有说明）
评级
符号
V
DSS
I
D
I
DM
P
D
V
GS
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功率耗散（注1 ）
栅极至源极电压
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
参数
价值
20
6
20
0.3
±12
-55~150
260
单位
V
A
A
W
V
℃
℃
最大额定值是那些价值超过该设备损坏可以occur.Maximum评级施加到器件的
个人压力限值（不正常运行条件下），同时无效。如果超出这些限制，
设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能会受到影响。
热特性
特性，端子teristi
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
参数
热阻，结到环境（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
热阻，结到环境（注2 ）
价值
民
-
典型值
-
最大
170
110
300
单位
℃/W
℃/W
℃/W
注1 ：表面安装用1平方英寸垫的尺寸FR4板（
安装在陶瓷板（千毫米
2
× 0.8毫米） 1单位
)
注2 ：表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
版本A Mar.2010 - H04F
P12-3
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
