WFY5P03 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFY5P03
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内容描述：	-30V P沟道MOSFET [-30V P?Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 318 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFY5P03

WFY5

-30V P沟道MOSFET

特点

■ -4.3A ， -30V ，R

DS （ ON）

（最大58mΩ ） @V

=-4.5V

■ -2.5V额定的低电压栅极驱动器

■ SOT- 23表面贴装的小型封装

•单脉冲能量额定雪崩

概述

这是功率MOSFET采用生产Winsemi的

先进的MOS技术。这项最新技术有

经过特别设计，以最大限度地减少通态电阻，

具有高耐用雪崩特性。该设备是

特别适合以及用于负载/功率

管理

为

便携

和

计算，充电电路和电池

保护

绝对最大额定值

(

TC = 25℃除非另有说明）

符号

DSS

GSS

英镑

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流

漏电流脉冲

PW≤10us ，值班cycle≤1 ％

安装在陶瓷板（千毫米

0.8mm)

lunit中

安装在陶瓷板（千毫米

0.8mm)

参数

价值

-30

±12

-4.3

-25

0.25

0.3

150

-55~150

单位

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

℃

版本A 2012年1月

P03-3

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