WFY4101
沟槽功率MOSFET
-20 V，单P沟道， SOT -23
SOT
特点
■ -3.2A ， -20V ，R
DS （ ON）
（最大85mΩ ） @V
GS
=-4.5V
■ -1.8 V额定的低电压栅极驱动器
■ SOT- 23表面贴装的小型封装
•单脉冲能量额定雪崩
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
MOS技术。这项最新的技术已经特别
旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固
雪崩特性。该设备是专非常适合
用于便携式设备和计算负载/电源管理，
充电电路和电池保护
G
S
D
SOT-23
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
漏源电压
连续漏电流（注1 ）
稳定状态
t≤10s
稳定状态
t≤10s
稳定状态
t=10s
Tc=25℃
Tc=85℃
Tc=25℃
Tc=25℃
Tc=25℃
Tc=85℃
Tc=25℃
参数
价值
-20
−2.4
-1.7
-3.2
0.73
1.25
-1.8
-1.3
0.42
-7.5
±8
C=100pF,R
S
= 1500Ω
225
-55~150
260
单位
V
A
P
D
I
D
P
D
I
DM
V
GS
ESD
T
J,
T
英镑
T
L
总功率耗散（注1 ）
连续漏电流（注2 ）
总功率耗散（注2 ）
漏电流脉冲
栅极至源极电压
静电放电能力（注3）
结温和存储温度
W
A
W
A
V
V
℃
℃
最大的铅焊接温度的目的
最大额定值是那些价值超过该设备损坏可以occur.Maximum评级施加到器件的
个人压力限值（不正常运行条件下），同时无效。如果超出这些限制，
设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和可靠性可能会受到影响。
热特性
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
参数
热阻，结到环境（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
热阻，结到环境（注2 ）
价值
民
-
典型值
-
最大
170
110
300
单位
℃/W
℃/W
℃/W
注1 ：表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸[ 1盎司]包括痕迹）
注2 ：表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
注3 ： ESD额定值信息： HBM等级0
版本A Mar.2010
版权所有@ WinSemi半导体有限公司，保留所有权利。
P02-1
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
