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    WFSA6503 参数 Datasheet PDF下载

    WFSA6503图片预览
    型号： WFSA6503
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道和P沟道MOSFET的硅 [N- Channel and P-Channel Silicon MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 423 K
    品牌： WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
     浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第4页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WFSA6503的Datasheet PDF文件第9页  
    WFSA6503
    N沟道和P沟道MOSFET的硅
    特点
    ■
    低
    导通电阻。
    ■
    复合型与N型沟道MOSFET和一个
    P沟道MOSFET在4.5V / -4.5V驾驶
    包含在单个封装中的电源电压。
    ■
    高密度安装。
    ■
    符合RoHS 。
    SOP-8
    应用
    ■
    通用开关设备
    ■
    对于电机驱动器，逆变器。
    绝对最大额定值
    在Ta = 25℃
    参数
    漏极至源极电压
    栅极 - 源极电压
    漏电流（ DC ）
    漏电流（脉冲）
    允许功耗
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    DP
    P
    D
    条件
    漏源电压
    栅源电压
    连续漏电流
    PW≤10uS ，值班cycle≤1 ％
    安装在陶瓷基板
    (1000mm
    2
    × 0.8毫米） 1台
    安装在陶瓷基板
    (1000mm
    2
    ×0.8mm)
    最大
    温度
    存储温度范围
    连接点
    评级
    N沟道
    30
    ±20
    6.9
    30
    1.3
    P沟道
    -30
    ±20
    -6
    -30
    1.3
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    总功耗
    P
    T
    1.7
    1.7
    W
    0
    通道温度
    储存温度
    T
    ch
    T
    英镑
    150
    -55~+150
    0
    C
    C
    Rev.A的Feb.2012
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