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    WFS5HB03N8 参数 Datasheet PDF下载

    WFS5HB03N8图片预览
    型号： WFS5HB03N8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V SO8互补增强型MOSFET的H桥 [30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 1953 K
    品牌： WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
     浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号WFS5HB03N8的Datasheet PDF文件第9页  
    5HB03N8
    N沟道的电特性（在T
    AMB
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    符号
    分钟。
    典型值。
    马克斯。
    单位
    条件
    STATIC
    漏源击穿
    电压
    零栅压漏
    当前
    门体漏
    门极 - 源
    电压
    静态漏源
    (a)
    导通状态电阻
    前锋
    （一） （三）
    跨
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    g
    fs
    11.8
    1.0
    30
    0.5
    V
    µA
    nA
    V
    Ω
    S
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0V
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    I
    D
    = 250μA ，V
    DS
    = V
    GS
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 5A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 4A
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 5A
    ±
    100
    3.0
    0.025
    0.045
    动态
    电容
    (c)
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    开关
    （二） （三）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    430
    101
    56
    pF
    pF
    pF
    V
    DS
    = 15V, V
    GS
    = 0V
    F = 1MHz的
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    栅极电荷
    (c)
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    2.5
    3.3
    11.5
    6.3
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    DD
    = 15V, V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 1A
    R
    G
    ≅
    6Ω,
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    源极 - 漏极二极管
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    (a)
    (c)
    (c)
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    9.0
    1.7
    2.0
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 5A
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    0.82
    12
    4.9
    1.2
    V
    ns
    nC
    I
    S
    = 1.7A ，V
    GS
    = 0V
    I
    S
    = 2.1A ，的di / dt = 100A / μs的
    反向恢复电荷
    注意事项：
    （一）脉冲条件下进行测定。脉冲宽度
    ≤
    300μS ;占空比
    ≤
    2%.
    （二）开关特性是独立的工作结温。
    （三）对设计辅助工具而已，不受生产测试
    问题1.0 - 2010年4月
    4
    insemi半导体有限公司
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