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WFP3205T 参数 Datasheet PDF下载

WFP3205T图片预览
型号: WFP3205T
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内容描述: 硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 1085 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WFP3205T
电气特性( TC = 25 ℃ )
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏切离型电流
漏极 - 源极击穿电压
击穿电压温度
系数
栅极阈值电压
漏 - 源极导通电阻
正向跨导
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
导通延迟时间
开关时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
总栅极电荷(栅源
Qg
加栅极 - 漏极)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极( "miller" )充电
QGS
QGD
I
D
=55A
nC
V
GS
=10V,
(Note4,5)
-
-
21
14
tf
TD (关闭)
R
G
=2.5Ω
V
GS
=10V
V
DD
=44V,
-
50
(Note4,5)
-
-
11
31
-
-
符号
I
GSS
V
( BR ) GSS
I
DSS
测试条件
VGS =
±20
V, VDS = 0V
I
G
= ±10 μA ,V
DS
=0V
V
DS
=55V,V
GS
=0V
V
DS
=44V,V
GS
=0V,T
J
=125℃
-
±30
-
-
60
-
典型值
-
-
-
-
-
0.057
-
-
-
3395
150
435
43
14
最大
±100
单位
nA
V
µA
µA
V
V/℃
V
mΩ
S
-
1
100
-
-
4
8.0
-
-
-
-
-
-
V
( BR ) DSS
ΔBV
DSS
/
△T
J
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
TD (上)
I
D
= 250 μA ,V
GS
=0V
I
D
=1mA,
参考25 ℃
V
DS
=V
GS
,I
D
=250 µA
V
GS
=10V,I
D
=55A
V
DS
=25V,I
D
=55A
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1MHz
V
DD
=28V,
I
D
=55A
2
-
44
-
-
-
-
-
pF
ns
源极 - 漏极额定值和特性(Ta = 25℃)
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压(二极管)
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
TRR
QRR
测试条件
-
-
I
DR
=60A,V
GS
=0V
I
DR
=55A,T
J
=25℃
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
100
450
最大
109
390
1.2
170
680
单位
A
A
V
ns
µC
注1.Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温
2.L = 198uH我
AS
=55A,,R
G
= 25Ω ,起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤55A,di/dt≤290A/us,V
DD
<BV
DSS
, T
J
≤150℃
4.Pulse测试:脉冲Width≤400us ,职务Cycle≤2 %
5.基本上是独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定,让你提前