WFP10N65
WFP10N65
硅N沟道MOSFET
特点
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10A,650V,R
DS ( ON)
(最大1Ω ) @V
GS
=10V
超低栅极电荷(典型值43nC )
快速开关能力
100%的雪崩测试
绝缘电压(V
ISO
= 4000V AC)
改进的dv / dt能力
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹, VDMOS技术。这项最新的技术已经特别
为了尽量减少对通态电阻,具有较高的坚固雪崩
的特点。该设备特别适用以及为AC- DC开关
电源,DC - DC电源转换器,高压H桥电机
驱动PWM 。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流( @ T = 100 ℃ )
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J
,T
英镑
T
L
结温和存储温度
通道温度
1.25
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25 ℃ )
(Note2)
(Note1)
(Note3)
(Note1)
6.0*
40*
±30
748
15.6
4.5
156
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流( @ T = 25 ℃ )
参数
价值
650
10*
单位
V
A
*
漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻,结-to -Case
热阻,结到 - 环境
价值
民
-
-
典型值
-
-
最大
0.80
62.5
单位
℃/W
℃/W
Rev.A的Sep.2010
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