WFF5N60
WFF5N60
电气特性（ TC = 25
°
C)
ECT
查行动
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
测试条件
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
I
G
=
±10
μA ，V
DS
= 0 V
V
DS
= 600 V, V
DS
= 0 V
民
-
±30
-
-
600
2
-
-
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
-
-
-
1.8
545
9
70
10
35
45
20
最大
±100
-
10
100
-
4
2.5
670
10.5
90
30
80
单位
nA
V
μA
μA
V
V
Ω
漏截止电流
I
DSS
V
DS
= 480 V ，TC = 125 ℃
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
关断时间
总栅极电荷（栅源
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
tr
吨
tf
花花公子
I
D
= 250 μA ，V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
=250 μA
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2A
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
=300 V,
I
D
=4.4 A
R
G
=25 Ω
(Note4,5)
V
DD
= 480 V,
pF
ns
100
50
-
Q
g
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
Q
gs
Q
gd
V
GS
= 10 V,
I
D
= 4.4 A
(Note4,5)
-
16
20
nC
-
-
3.4
7
-
-
源极 - 漏极额定值和特性（Ta = 25
°
C)
SOUR
英格斯
查行动
特征
连续漏电流反向
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
T
rr
Q
rr
测试条件
-
-
I
DR
= 4.4 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 4.4 A，V
GS
= 0 V,
dI
DR
/ DT = 100 A / μs的
民
-
-
-
-
-
TYPE
-
-
-
390
2.2
最大
4.5
17.6
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
μC
注1.Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温
2.L=18.5mH,I
AS
=4.4A,V
DD
=50V,R
G
= 0Ω ，起始物为
J
=25℃
3.I
SD
≤4.5A ，二/ dt≤200A / US ，V
DD
<BV
DSS
，起动TJ = 25 ℃
4.Pulse测试：脉冲Width≤300us ，职务Cycle≤2 ％
5.Essentially独立的工作温度。
此晶体管是静电敏感设备
请小心处理
2/7
稳定，让你提前
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
