WFF2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFF2N60
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 392 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFF2N60

硅N沟道MOSFET

硅片N-CH

MOSF

特点

■2A,600V,

DS （ ON）

（最大5Ω ） @V

=10V

■

超低栅极电荷（典型9.0nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

绝缘电压（V

ISO

= 4000V AC）

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，有

高

崎岖

雪崩特性。这

设备是

特别适合好于高效率开关模式电源

供应量。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

0.18

-55~150

300

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

（注

（注3）

(Note1)

1.5*

9.5*

±30

140

2.8

4.5

V / ns的

W/℃

℃

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

600

2.0*

单位

通道

温度

漏电流受结温

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

民

价值

典型值

最大

5.5

62.5

单位

℃/W

再诉B1 ñ OV 。 2007年

T03-2

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