WFF20N60S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFF20N60S
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 383 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFF20N60S

硅N沟道MOSFET

特点

�½

20A,600V,R

DS （ ON）

(Max0.20Ω)@V

=10V

超低栅极电荷（典型84.4nC ）

快速开关能力

100％的雪崩测试

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi的advancedplanar生产

条纹， VDMOS technology.this最新的技术有beenespecially

旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固雪崩

特性。这种装置是专门wellsuited的AC- DC开关

电源，DC -DC powerConverters高压H桥电机

驱动PWM 。

绝对最大额定值

符号

DSS

英镑

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

漏电流脉冲（时间由T有限

JMAX

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

单脉冲雪崩电流

重复性雪崩能量（频率由T有限

JMAX

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

结温

储存温度

参数

价值

600

±20

800

34.5

150

-55~150

单位

℃

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结-to -Case

热阻，结-to - 环境

价值

民

典型值

最大

3.6

单位

℃/W

Rev.A的Apr.2012

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