WFF12N60
硅N沟道MOSFET
特点
■
12A , 600V ,R
DS ( ON)
(最大值0.65Ω ) @V
GS
=10V
■
超低栅极电荷(典型值39nC )
■
快速开关能力
■
100%的雪崩测试
■
绝缘电压(V
ISO
= 4000V AC)
■
最高结温范围( 150 ℃ )
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的平面生产
条纹, VDMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适用于高效率开关模式电源,功率因数
校正和半桥和全桥谐振拓扑线
电子镇流器。
G
D
S
TO220F
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流( @ TC = 25
℃
)
连续漏电流( @ T = 100
℃
)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
2)
重复性雪崩能量
1)
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @ TC = 25
℃
)
降额超过25因素
℃
结温和存储温度
最大的铅焊接温度的目的
(注
(注
(注3)
(Note1)
参数
价值
600
12*
7.6*
48*
±30
880
25
4.5
51
0.41
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
℃
℃
℃
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
2.45
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
版本C 2008年11月
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T03-1