WFD830 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WFD830
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 589 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

WFD830

世界粮食日

硅N沟道MOSFET

特点

■ 4.5A ， 500V ，R

DS （ ON）（

最大1.5Ω ） @V

=10V

■超低栅极电荷（典型值32nC ）

•快速开关能力

■ 100 ％雪崩测试

■最大结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于高效率开关模式电源，功率因数

校正和半桥和全桥谐振拓扑线

电子镇流器。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

dv / dt的

减额在25℃以上因素

英镑

结温和存储温度

0.38

-55~150

300

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

（注2 ）

（注1 ）

（注3）

(Note1)

2.9

±30

300

7.5

4.5

V / ns的

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

参数

价值

500

4.5

单位

通道

温度

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境*

热阻，结到环境

价值

民

典型值

最大

2.6

110

单位

℃/W

*当安装在推荐的最小焊盘尺寸（ PCB安装）

Rev.A的Nov.2010

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