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WBN13003A1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WBN13003A1
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 474 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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WBN13003A1
电气特性
(Tc=25℃
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
测试条件
Ic=10mA,Ie=0
Ic=10mA,Ib=0
价值
600
400
-
-
-
-
-
10
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
1.2
5
10
5
40
-
4
典型值
最大
单位
V
V
V
V
µA
µA
µA
集电极 - 发射极饱和电压IC = 500毫安, IB = 100毫安
基射极饱和电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基截止电流
直流电流增益
VCE = 5V , IC = 1毫安
Ic=500mA,Ib=100mA
Vcb=600V,Ie=0mA
Vce=400V,Ib=0mA
Veb=9V,Ic=0mA
Vce=20V,Ic=20mA
ts
tf
贮存时间
下降时间
Vcc=24V
Ic=5I
B
I
B1
=-I
B
2=0.05A
0.7
f
T
频率特性
V
CE
=10V,I
C
=0.1A
4
-
-
兆赫
注意:
脉冲测试:脉冲宽度300 ,占空比2 %
2/5
稳定,让你提前