STN1A60S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STN1A60S
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内容描述：	逻辑电平双向晶闸管 [Logic Level Bi-Directional Triode Thyristor]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 364 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

STN1A60S

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

ECTR

三

查法里斯抽动

符号

DRM

特征

峰值正向或反向阻断电流

= V

DRM

RRM ，

门打开）

转发“ ON”电压

= 1.5 A)

=25℃

=125℃

(Note2)

T2+G+

T2+G-

T2-G-

T2-G+

T2+G+

T2+G-

T2-G-

T2-G+

民

0.2

T2+G+

T2+G-

T2-G-

T2-G+

典型值。

1.2

0.4

1.3

3.8

1.3

1.2

4.0

1.0

2.5

最大

500

1.5

1.2

1.5

420

单位

μA

门极触发电流（连续直流）

= 12 VDC， RL = 33 Ω ）

门极触发电压（连续直流）

= 12 VDC， RL = 33 Ω ）

栅极阈值电压（T

=125℃, V

DRM

=3.3KΩ)

dv / dt的

V / μs的

换相电压临界上升率（V

=0.67V

DRM

，门打开）

保持电流

= 12 V，I

= 100 mA时）

擎住电流（V

= 12 V ;我

= 100 mA时）

动态电阻

=125℃)

mΩ

注2：正向电流申请1 ms的最长期限，占空比

2/5

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