SFU1N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SFU1N60
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 399 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SFU1N60

硅N沟道MOSFET

特点

■1.3A,600V,

DS （ ON）

（最大8.5Ω ） @V

=10V

■

超低栅极电荷（典型9.1nC ）

■

快速开关能力

■

100％的雪崩测试

■

最高结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于高效率开关模式电源。电子

基于半桥和UPS灯镇流器。

TO251

绝对最大额定值

符号

DSS

dv / dt的

英镑

漏源电压

连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）

连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）

减额在25℃以上因素

结温和存储温度

最大的铅焊接温度的目的

（注

（注3）

(Note1)

参数

价值

600

1.3

0.84

5.0

±30

3.9

5.5

0.24

-55~150

300

单位

V / ns的

W/℃

℃

热特性

符号

QJC

QCS

qJA

参数

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结到环境

民

0.5

价值

典型值

最大

3.9

110

单位

℃/W

版本C 2008年11月

P01-3

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