SFP75N08R
SFP7 N08R
硅N沟道MOSFET
特点
■ R
DS （ ON）
（最大15MΩ ） @V
GS
=10V
■超低栅极电荷（典型值80nC ）
•快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 175 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET生产Winsemi拥有先进
DMOS工艺，平面条形。这项技术使电源
MOSFET具有更好的特性，如快速
switchingtime ，低导通电阻，低栅极电荷和特别
优异的雪崩特性。该器件非常适合
对于低电压应用，如汽车，直流/直流
转换，并在电源管理的高效率开关
便携式和电池供电产品
G
D
S
TO220
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
减额在25℃以上因素
结温
储存温度
最大无铅焊接温度的目的（ 5秒）
（注2 ）
（注3）
（注2 ）
(Note1)
参数
价值
80
75
52.6
300
±20
13100
75
17.3
7.3
173
1.15
175
-55~150
300
单位
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
热阻，结到环境
民
-
价值
典型值
-
0.5
最大
0.87
单位
℃/W
℃/W
-
-
62.5
℃/W
牧师，B Nov.2009
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T03-3
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
