SFP634
硅N沟道MOSFET
特点
• 9A ， 250V ，R
DS （ ON）
（最大值0.45Ω ） @V
GS
=10V
■超低栅极电荷（典型值41nC ）
•快速开关能力
■ 100 ％雪崩测试
■最大结温范围（ 150 ℃ ）
概述
氏s蒲疫情周报MOS F等是公关Ø杜CE ð USI吴无线ñ本身英里的一个高级CE ð
平面条形， DM OS技术。这一最新技术已
especi人LY旨在微量IZE导通电阻，具有较高的
るGG E D AVA升的CH Ë CH A RA CTE ř北京时间IC S 。氏s德维CE s是SP Ë中情局L L ÿ我们当地雇员
适合FO rlowvoltageapplicatio nssuchasautomotive ，高
效率切换为DC / DC变换器和DC电机控制。
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
减额在25℃以上因素
T
J,
T
英镑
T
L
结温和存储温度
0.64
-55~150
300
W/℃
℃
℃
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
5
72
±20
300
7.4
4.8
88
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
参数
价值
250
单位
V
A
9
通道
温度
*漏电流受结温
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
0.5
-
最大
1.42
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1/7
.
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WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
