SFP50N06R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SFP50N06R
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 733 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SFP50N06R

硅N沟道MOSFET

特点

�½

DS （ ON）

(Max0.023Ω)@V

=10V

栅极电荷（典型25NC ）

最高结温范围（ 175 ℃ ）

概述

使用Winsemi的沟槽产生这种功率MOSFET布局为主

流程。相比这种技术提高了性能

标准件从各种来源。所有这些力量

应用在开关稳压器的设计，

MOSFET

开关

变流器，电机和继电器驱动器，以及高功率双极驱动器

用开关晶体管，要求高速，低栅极驱动电源。

绝对最大额定值

符号

DSS

连续漏电流（ @T

=100℃)

dv / dt的

降额因子above25 ℃

英镑

工作结温

储存温度

0.8

-55~175

150

W/℃

℃

漏电流脉冲

栅极至源极电压

单脉冲雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @T

=25℃)

200

±20

493

12.0

7.0

120

V / ns的

参数

漏源极电压

连续漏电流（ @T

=25℃)

价值

单位

热特性

符号

QJC

qJA

参数

分钟。

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

价值

典型值。马克斯。

0.5

1.24

62.5

单位

℃/W

Rev.A的Aug.2010

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