SFP12N65
硅N沟道MOSFET
特点
■
12A,650V,R
DS （ ON）
(Max0.8Ω)@V
GS
=10V
■
超低栅极电荷（典型值30nC ）
■
快速开关能力
■
100％的雪崩测试
■
最高结温范围（ 150 ℃ ）
概述
这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产
平面条形， VDMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的
坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善
适合用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，
高压H桥电机驱动PMW
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J,
T
英镑
T
L
漏源电压
连续漏电流（ @ T = 25 ℃ ）
连续漏电流（ @ T = 100 ℃ ）
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散（ @ TC = 25 ℃ ）
减额在25℃以上因素
结温和存储温度
通道温度
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
(Note1)
±30
990
22
4.5
178
1.43
-55~150
300
参数
价值
650
12
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W/℃
℃
℃
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，外壳到散热器
热阻，结到环境
价值
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
0.70
-
62.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
REV ，A 2008年11月
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WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
