SFF2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SFF2N60
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内容描述：	硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 502 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SFF2N60

硅N沟道MOSFET

特点

■ 2A ， 600V ，R

DS （ ON）

（最大4.7Ω ） @V

=10V

■超低栅极电荷（典型9.0nC ）

•快速开关能力

■ 100 ％雪崩测试

■最大结温范围（ 150 ℃ ）

概述

这是功率MOSFET采用Winsemi先进的生产

平面条形， DMOS技术。这一最新技术已

尤其是旨在最大限度地减少通态电阻，具有较高的

坚固耐用的雪崩特性。该器件是特别完善

适用于高效率开关模式电源。

绝对最大额定值

符号

DSS

漏源电压

连续漏电流（ @T

=25℃)

连续漏电流（ @T

=100℃)

dv / dt的

漏电流脉冲

栅极至源极电压

SinglePulsed雪崩能量

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

总功率耗散（ @T

=25℃)

降额因子above25 ℃

英镑

结温和存储温度

通道温度

(Note2)

(Note1)

(Note3)

(Note1)

参数

价值

600

2.0*

1.5*

9.5*

±30

140

2.8

4.5

0.18

-55~150

300

单位

V / ns的

W/℃

℃

*漏电流受结温

热特性

符号

QJC

qJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

民

价值

典型值

最大

5.5

62.5

单位

℃/W

Rev.A的Aug.2010

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