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SBP13009D 参数 Datasheet PDF下载

SBP13009D图片预览
型号: SBP13009D
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内容描述: 高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
分类和应用: 晶体开关晶体管高压
文件页数/大小: 5 页 / 302 K
品牌: WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
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SBP13009D
电气特性
(T
C
=25
除非另有说明)
符号
V
CEO ( SUS )
价值
参数
测试条件
400
典型值
-
最大
-
0.5
-
-
1.0
1.5
-
-
2.0
1.2
1.6
1.5
1.0
5.0
40
40
单位
V
集电极 - 发射极击穿电压
Ic=10mA,Ib=0
Ic=5.0A,Ib=1.0A
Ic=8.0A,Ib=1.6A
V
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
Ic=12A,Ib=3.0A
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Tc=100℃
我的IC = 5.0A , IB = 1.0A
-
-
V
V
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Tc=100℃
-
-
V
I
CBO
集电极 - 基极截止电流
(Vbe=-1.5V)
直流电流增益
阻性负载
Vcb=700V
VCB = 700V ,TC = 100 ℃
Vce=5V,Ic=5.0A
VCE = 5V , IC = 8.0A
-
10
6
-
-
-
-
mA
h
FE
ts
tf
ts
tf
ts
tf
f
T
V
F
C
OB
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
电流增益带宽积
二极管的正向电压
输出电容
V
CC
=125V ,
I
B1
=1.6A ,
Tp=25㎲
Ic=6.0A
I
B2
=-1.6A
1.5
0.17
-
-
-
-
4
-
-
0.8
0.04
0.8
0.05
-
-
6.5
3.0
0.4
2.0
0.1
2.5
0.15
-
2.5
V
CC
= 15V , IC = 5A
I
B1
= 1.6A , Vbe的(关闭) = 5V
L=0.35mH,V
=300V
V
CC
= 15V , IC = 1A
I
B1
= 0.4A , Vbe的(关闭) = 5V
L=0.2mH,Vclamp=300V
Tc=100℃
I
C
= 0.5A ,V
CE
=10V
I
F
=2A
I
C
= 0.5A ,V
CE
=10V
兆赫
V
pF
注意:
脉冲测试:脉冲宽度300 ,占空比2 %
2/5
.