SBF13007-O 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SBF13007-O
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内容描述：	高压快速开关NPN功率晶体管 [High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor]
分类和应用：	晶体开关晶体管高压
文件页数/大小：	5 页 / 336 K
品牌：	WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]

SBF13007-O

电气特性

=25

℃

除非另有说明）

ECT

查行动

价值

参数

集电极 - 发射极击穿电压

测试条件

Ic=10mA,Ib=0

Ic=2.0A,Ib=0.4A

Ic=5.0A,Ib=1.0A

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压

Ic=8.0A,Ib=2.0A

Ic=5.0A,Ib=1.0A

Tc=100℃

Ic=2.0A,Ib=0.4A

BE （ SAT ）

基射极饱和电压

Ic=5.0A,Ib=1.0A

Tc=100℃

CBO

EBO

集电极 - 基极截止电流

(Vbe=-1.5V)

辐射源-Base截止电流

Vcb=700V

VCB = 700V ，TC = 100 ℃

Veb=9V

Vce=5V,Ic=2.0A

VCE = 5V ， IC = 5.0A

吨

电流增益带宽积

= 10V ，我

= 0.5A

符号

CEO （ SUS ）

民

400

典型值

最大

1.0

单位

2.0

3.0

2.5

1.2

1.6

1.5

1.0

5.0

1.0

直流电流增益

兆赫

TUM的时间

贮存时间

下降时间

= 125V ， IC = 5A

=-1.0A

=50Ω

1.6

3.0

0.7

㎲

注意：

记

脉冲测试：脉冲宽度300 ，占空比2 ％

2/5

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