MCR100-8H
MCR10
R100
敏感栅
ITIV
可控硅整流器器
SILIC对照欧莱
ectifi
TIFIE
特点
特征
■高重复峰值断态电压V
DRM
/V
RRM
=800V
■敏感的门极触发电流：I
GT
= 200uA最大值。
■低通态电压： V
TM
= 1.4 （典型值） @我
TM
■低反向和正向阻断电流：
I
DRM
/I
PRM
■低保持电流：我
H
= 5毫安最大
概述
属德
敏感触发可控硅是适合应用
其中，栅极电流限制，如微控制器，逻辑
集成电路，小型电动机的控制，对于大的栅极驱动器
SCR ，传感和检测电路。
通用开关和相位控制应用
K
G
A
TO-92
绝对最大额定值
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
符号
V
DRM
/V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G（ AV ）
I
FGM
V
RGM
T
J,
T
英镑
重复峰值断态电压
通态电流有效值（ 180
o
导通角）
通态平均电流（ 80
o
导通角）
不重复浪涌峰值通态电流
TP = 10毫秒
对于融合I了价值
峰值功率门
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
储存温度
T
J
=25℃
T
A
=25℃
T
A
=25℃
TP = 8.3毫秒
8
0.43
0.1
0.01
1
5
-40~125
-40~150
A
2
s
W
W
A
V
℃
℃
参数
Note(1)
TI=85℃
TI=85℃
TP = 8.3毫秒
价值
800
0.8
0.5
9
单位
V
A
A
A
注1 ：
虽然不建议，断态电压高达900 V可以无损伤被应用，但可能晶闸管
Note1
e1:
开关电流的上升上state.The率应不大于15 A / μs的。
热特性
符号
R
QJC
R
qJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
民
-
-
价值
典型值
-
-
最大
75
200
单位
℃/W
℃/W
A1.1版本
Jun.2011
T12-2
WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
