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    5HB03N8 参数 Datasheet PDF下载

    5HB03N8图片预览
    型号： 5HB03N8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V SO8互补增强型MOSFET的H桥 [30V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 1953 K
    品牌： WINSEMI [ SHENZHEN WINSEMI MICROELECTRONICS CO., LTD ]
     浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第8页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第9页浏览型号5HB03N8的Datasheet PDF文件第10页  
    5HB03N8
    N沟道典型特征 - 续
    600
    V
    GS
    栅源电压（ V）
    V
    GS
    = 0V
    Ç电容（pF ）
    500
    400
    300
    200
    100
    0
    1
    C
    国际空间站
    F = 1MHz的
    C
    OSS
    C
    RSS
    10
    10
    9
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    I
    D
    = 5A
    V
    DS
    = 15V
    0
    1
    2
    V
    DS
    - 漏极 - 源极电压（ V）
    电容V漏源电压
    Q - 费（ NC ）
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    门源电压V栅极电荷
    测试电路
    当前
    调节器
    Q
    G
    12V
    50k
    相同
    D.U.T
    V
    G
    Q
    GS
    Q
    GD
    V
    DS
    I
    G
    D.U.T
    I
    D
    V
    GS
    收费
    基本栅极电荷波形
    栅极电荷测试电路
    V
    DS
    90%
    V
    GS
    R
    G
    R
    D
    V
    DS
    V
    DD
    10%
    V
    GS
    t
    D（上）
    t
    （上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    （上）
    t
    r
    开关时间波形
    开关时间测试电路
    问题1.0 - 2010年4月
    6
    insemi半导体有限公司
    插件

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