欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

WMBT5401LT1 参数 Datasheet PDF下载

WMBT5401LT1图片预览
型号: WMBT5401LT1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]
 浏览型号WMBT5401LT1的Datasheet PDF文件第1页  
WMBT5401LT1
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -1.0 MADC , VCE = -5.0 V直流)
( IC = -10 MADC , VCE = -5.0 V直流)
( IC = -50 MADC , VCE = -5.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = -10 MADC , IB = -1.0 MADC )
( IC = -50 MADC , IB = -5.0 MADC )
基地 - 发射极饱和电压
( IC = -10 MADC , IB = -1.0 MADC )
( IC = -50 MADC , IB = -5.0 MADC )
的hFE
80
80
80
240
VDC
–0.2
–0.5
VDC
–1.0
–1.0
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = -10 MADC , VCE = -10伏直流, F = 100兆赫)
输出电容
( VCB = -10伏直流, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
( IC = -1.0 MADC , VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫)
噪声系数
( IC = -200
μAdc ,
VCE = -5.0伏, RS = 10
Ω,
F = 1.0千赫)
fT
100
科博
的hFE
40
NF
8.0
200
dB
6.0
300
pF
兆赫