WMBT5551LT1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	WMBT5551LT1
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内容描述：	NPN硅晶体管 [NPN Silicon Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 43 K
品牌：	WINGS [ WING SHING COMPUTER COMPONENTS ]

WMBT5551LT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

hFE

(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

Collector – Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

Base – Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

VBE(sat)

—

1.0

VCE(sat)

—

0.15

250

—

Vdc

—

0.20

Vdc

1.0

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