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GQM0335G2D2R5WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM1555C2A7R8WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FFB20UP30DNTM

20A,300V,Ultrafast 双二极管
二极管
0 ONSEMI

FDMS8320LDC

N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V,192A,1.1mΩ
开关脉冲光电二极管晶体管
1 ONSEMI

GCQ1555C1H9R2WB01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
1 MURATA

NGTB50N60L2WG

IGBT 600V 50A FS2 低饱和压
双极性晶体管
0 ONSEMI

PMV65XPE

20 V, P-channel Trench MOSFETProduction
暂无信息
1 NEXPERIA

NTHL033N65S3HF

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,FRFET®,650 V,70 A,33 mΩ,TO-247
暂无信息
0 ONSEMI

GRM188B31A474KC43#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FSV12150V

12 A,150 V 超低 VF 肖特基整流器
暂无信息
0 ONSEMI

ISC010N04NM6

凭借先进的 40V OptiMOSTM 6  正常电平功率MOSFET,英飞凌为电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动等所需的正常电平(较高阈值电压)应用提供了标杆解决方案。正常电平的产品组合具有较高的 Vth,这意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致不必要的导通。
电池驱动栅极
0 INFINEON

GRJ31CR71A226ME12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PSMN6R8-40HS

N-channel 40 V, 6.8 mOhm, standard level MOSFET in LFPAK56D using TrenchMOS technologyProduction
暂无信息
1 NEXPERIA

IPB073N15N5

英飞凌推出的 OptiMOS™5 150V 功率 MOSFET 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。产品突破性地降低了 R DS(on)(与 SuperSO8 中的下一个理想替代品相比高达 25%)和 Q rr,而不影响 FOM gd 和 FOM OSS,从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(在 SuperSO8 中,Q rr = 26 nC)提高了换流坚固性。
通信驱动驱动器
0 INFINEON

GRT033R61E104KE01#

汽车[信息娱乐 / 舒适设备],工业设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA