初步W27C4096
功能说明
读取模式
像常规UVEPROMs ，所述W27C4096具有两个控制功能，这两者产生的数据
在输出端。 CE是功率控制和片选。 OE控制输出缓冲器到栅极的数据到
的输出引脚。当地址是稳定的，该地址访问时间（T
加
）等于延迟
从CE输出（T
CE
） ，以及数据可在输出Ť
OE
OE的下降沿后，如果
T
加
和T
CE
定时被满足。
擦除模式
擦除操作是从"0"数据更改为"1."不同于传统的UVEPROMs的唯一途径，
其中使用紫外线来擦除整个芯片（一个过程，要求多达一半的内容
一个小时） ，则W27C4096采用电擦除。一般情况下，该芯片可以在100毫秒内被删除
采用EPROM写入器具有特殊的擦除算法。
擦除模式进入当V
PP
被升高到V
PE
(14V), V
CC
= V
CE
（ 5V ） ，低CE ， OE高， A9 =
V
PE
（ 14V ） ， A0低，和所有其他的地址引脚低和数据输入引脚高。
擦除验证模式
在擦除操作之后，所有的芯片中的话，必须进行验证，以检查它们是否有
被成功擦除到"1"与否。擦除校验模式可自动确保大幅
删除保证金。此模式将擦除操作后，如果要输入V
PP
= V
PE
（ 14V ） ， CE高，
OE低。
编程模式
编程被执行，正是因为它是在常规UVEPROMs和编程是唯一
办法单元格数据改变从"1"至"0."程序模式时输入V
PP
被升高到V
PP
(12V), V
CC
= V
CP
（ 5V ） ，CE低
,
OE高时，地址引脚等于所需地址，并且输入
销等于所需输入。
程序校验模式
所有的芯片中的话，必须进行验证，以检查其是否已被成功
编程所需的数据或没有。因此，以后的每个单词进行编程，编程验证
操作应该被执行。该程序验证模式可自动确保大幅
项目保证金。该模式将在程序运行后，如果输入V
PP
= V
PP
（ 12V ） ， CE高，
OE低V
CC
= V
CP
(5V).
擦除/编程禁止
擦除或编程禁止模式允许并行擦除或多个芯片用不同的编程
数据。当CE高，V
PP
= V
PP
/V
PE
（ 12V / 14V ）和V
CC
= 5V ，擦除或编程非
目标芯片被抑制，从而使除CE和V
PP
和V
CC
，该W27C4096可能有
常见的输入。
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