欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO4578 参数 Datasheet PDF下载

AO4578图片预览
型号: AO4578
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 2206 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
 浏览型号AO4578的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4578的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4578的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4578的Datasheet PDF文件第5页  
万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4578
30V N沟道MOSFET
概述
•最新的沟槽功率AlphaMOS ( αMOS LV )技术
•非常低R
DS ( ON)
在4.5V V
GS
•低栅极电荷
•高电流能力
•符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
30V
20A
< 5.7mΩ
< 9mΩ
应用
•在电脑,服务器和POL DC / DC转换器
•在电信和工业隔离DC / DC转换器
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
最大
30
±20
单位
V
V
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
V
DS
功耗
B
C
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
20
15
120
40
8
36
3.1
2
-55到150
A
mJ
V
W
°
C
A
雪崩能量L = 0.01mH
C
E
AS
V
P
D
T
J
, T
英镑
100ns
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
Rev.1.0 : 2013年8月
www.aosmd.com
第1页5