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AO4498E 参数 Datasheet PDF下载

AO4498E图片预览
型号: AO4498E
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 2162 K
品牌: WHXPCB [ shenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd ]
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万和兴电子有限公司www.whxpcb.com
AO4498E
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4498E结合了先进的沟槽MOSFET
技术具有低电阻包提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关
和电池保护的应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
30V
18A
< 5.8mΩ
< 8.5mΩ
ESD保护
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
G
S
S
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
最大
30
±20
18
14
120
3.1
2
-55到150
单位
V
V
A
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
版本1 : 2009年11月
www.aosmd.com
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