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WCSS0418V1P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WCSS0418V1P
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内容描述: 256K ×18的同步流水线高速缓存RAM [256K x 18 Synchronous-Pipelined Cache RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 662 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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WCSS0418V1P
销刀豆网络gurations
(续)
119球BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
V
DDQ
NC
NC
DQ
b
NC
V
DDQ
NC
DQ
b
V
DDQ
NC
DQ
b
V
DDQ
DQ
b
NC
NC
NC
V
DDQ
2
A
CE
2
A
NC
DQ
b
NC
DQ
b
NC
V
DD
DQ
b
NC
DQ
b
NC
DQP
b
A
A
NC
3
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
BW
b
V
SS
NC
V
SS
V
ss
V
SS
V
SS
V
SS
模式
A
NC
4
ADSP
ADSC
V
DD
NC
CE
1
OE
ADV
GW
V
DD
CLK
NC
BWE
A1
A0
V
DD
NC
NC
5
A
A
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
ss
V
SS
NC
V
SS
BW
a
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
A
NC
6
A
CE
3
A
DQP
a
NC
DQ
a
NC
DQ
a
V
DD
NC
DQ
a
NC
DQ
a
NC
A
A
NC
7
V
DDQ
NC
NC
NC
DQ
a
V
DDQ
DQ
a
NC
V
DDQ
DQ
a
NC
V
DDQ
NC
DQ
a
NC
ZZ
V
DDQ
引脚德网络nitions
名字
A
[17:0]
描述
用于选择的64K地址位置中的一个地址输入。取样的上升沿
CLK如果ADSP ADSC或低电平有效,和CE
1
,CE
2
和CE
3
采样活跃。一
[1:0]
2位计数器。
输入 -
字节写选择输入,低电平有效。合格与BWE进行字节写入到SRAM中。
同步采样在CLK的上升沿。
输入 -
全局写使能输入,低电平有效。当在CLK的上升沿置位为低,一个全球
同步写操作进行的(所有字节写入,无论是价值观上的BW
[1:0]
和BWE ) 。
输入 -
字节写使能输入,低电平有效。采样在CLK的上升沿。此信号必须
同步低电平进行字节写操作。
输入时钟
时钟输入。用于捕获所有的同步输入到设备中。还用于增加爆
在ADV为低电平时,一阵操作过程中的计数器。
输入 -
芯片使能1输入,低电平有效。采样在CLK的上升沿。使用与CE联
2
同步和CE
3
选择/取消选择该设备。如果CE ADSP被忽略
1
为高。
输入 -
芯片使能2输入,高电平有效。采样在CLK的上升沿。使用与CE联
1
同步和CE
3
选择/取消选择该设备。
输入 -
芯片使能3输入,低电平有效。采样在CLK的上升沿。使用与CE联
1
同步和CE
2
选择/取消选择该设备。
输入 -
输出使能,异步输入,低电平有效。控制的I / O引脚的方向。当低,
异步的I / O引脚用作输出。当拉高高, I / O引脚三态,并作为输入
数据引脚。 OE是在读周期的第一个时钟从取消选择状态出现时被屏蔽。
输入 -
超前输入信号,采样在CLK的上升沿。当断言,它会自动递增
同步ments在一个脉冲串周期的地址。
输入 -
地址选通从处理器,采样在CLK的上升沿。当置为低电平,A
[17:0]
同步被捕获在地址寄存器中。一
[1:0]
也被装入到该数据串计数器。当ADSP和
ADSC都断言,只有ADSP是公认的。 ASDP被忽略时, CE
1
被拉高高。
I / O
输入 -
同步
BW
[1:0]
GW
BWE
CLK
CE
1
CE
2
CE
3
OE
ADV
ADSP
文件编号: 38-05247
第17页3