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WCMC8016V9X-FI70 参数 Datasheet PDF下载

WCMC8016V9X-FI70图片预览
型号: WCMC8016V9X-FI70
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内容描述: 8MB ( 512K ×16 )伪静态RAM [8Mb (512K x 16) Pseudo Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 216 K
品牌: WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
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超前信息
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................ -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用.............................................. -55 ° C至+ 85°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
WCMC8016V9X
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6, 7]
........................................- 0.2V至3.3V
直流输入电压
[5, 6, 7]
.....................................- 0.2V至3.3V
输出电流为输出( LOW ) ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
[9]
设备
WCMC8016V9X
范围
产业
环境温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V到3.30V
产品组合
功耗
产品
分钟。
WCMC8016V9X-FI70
2.70
V
CC
范围(V )
典型值。
[8]
3.0
马克斯。
3.30
70
速度
(纳秒)
典型值。
[8]
2
我的操作
CC
(MA )
F = 1MHz的
马克斯。
3.5
f = f
最大
典型值。
[8]
11
马克斯。
17
待我
SB2
(µA)
典型值。
[8]
55
马克斯。
80
注意事项:
5. V
IH( MAX)的
= V
CC
+ 0.5V的脉冲持续时间小于20ns 。
6. V
IL ( MIN )
= -0.5V脉冲持续时间小于20ns 。
7.过冲和下冲规格的特点,不是100 %测试。
8.典型值包括仅供参考,并不存在保证或测试。典型值是在V测量
C C
= V
CC
(典型值)和T
A
= 25C
9. V
CC
必须以最低运行水平之前输入的导通。
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