欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
热门品牌
最新上传

FQU4N50TU-WS

N 沟道 QFET® MOSFET 500V,2.6A,2.7Ω
暂无信息
0 ONSEMI

FCD2250N80Z

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,2.6 A,2.25 Ω,DPAK
暂无信息
1 ONSEMI

GRM0332C1H7R1WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1552C1H102GA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM0335C1E9R4BA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BSZ035N03LS G

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6)
通信电池数据通信服务器电脑栅极调节器
0 INFINEON

T501N70TOH

T501N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳,外壳直径 76mm,高度 26mm。
暂无信息
0 INFINEON

GQM2195G2H8R6CB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

IQE013N04LM6SC

英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品, PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 40 V:IQE013N04LM6SC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片,该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位(而不是漏极电位)可以通过导热垫与 PCB 连接。因此,它具有几点优势,如热能力增强,先进的功率密度,或具有改善板上布局的可能性。
PC
0 INFINEON

GCG1552C1H3R7BA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GJM0335C1E6R7BB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM1555G2D1R3WB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM1875C2E4R3BB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM21BR71H203KA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM31MR71E105MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA