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NXH35C120L2C2ESG

IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity
双极性晶体管
0 ONSEMI

FDS6673BZ

P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-30V,14.5A,7.8mΩ
暂无信息
0 ONSEMI

GRM21A5C2E331GW01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

NC7WBD3125K8X

2 位低功耗总线开关,带电平转换
开关驱动光电二极管逻辑集成电路
0 ONSEMI

R6024KNZ4

R6xxxKNx系列是重视高效性,以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现高性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。
开关功率因数校正
0 ROHM

GRM0225C1H9R7CA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM31A7U3D100JW31#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PZTA44

NPN high-voltage transistorProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

GRM022R60G153ME15#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GQM2195G2H6R1WB12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

PSMN1R1-40BS

N-channel 40 V 1.3 mΩ standard level MOSFET in D2PAKProduction
暂无信息
0 NEXPERIA

DDB6U50N22W1RP_B11

EasyBRIDGE 1 2200 V, 50 A Diode Bridge Module with 1700 V TRENCHSTOP™ IGBT4 Brake Chopper, PressFIT contact technology and pre-applied Thermal Interface Material. The DDB6U50N22W1RP_B11 extends the current easy drive rectifier diode portfolio up to 2.2 kV.
双极性晶体管
0 INFINEON

GCM3195G1H102GA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM033R71H152KA12#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GRM1555C2A6R8WA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA