2SD2114K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD2114K
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内容描述：	高直流电流增益。高发射极 - 基极电压。低VCE （SAT）。 [High DC current gain. High emitter-base voltage. Low VCE (sat).]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 134 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD2114K

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

高直流电流增益。

高发射极 - 基极电压。

低V

CE （SAT）

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

*单脉冲Pw = 100毫秒。

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.5

1 *

0.2

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

输出电容*

跃迁频率

输出导通电阻

*采用脉冲电流测量。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=10ìA

=1mA

=10ìA

=20V

=10V

0.18

820

350

8.0

0.8

Testconditons

民

0.5

0.4

2700

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=500mA/20mA

= 3V ，我

=10mA

= 10V ，我

= -50mA ， F = 100MHz的

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

= 1mA时， VI = 100mV的（ RMS）中，f = 1kHz时

分类

记号

秩

820 1800

1200 2700

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

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