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型号: 2SD1366A
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内容描述: 低频功率放大器集电极 - 基极电压VCBO 30 V [Low frequency power amplifier Collector-base voltage VCBO 30 V]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 1 页 / 75 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SD1366A
SOT-89
单位:mm
1.50 ±0.1
特点
低频功率放大器
4.50±0.1
1.80±0.1
1
0.48±0.1
2
3
0.80±0.1
0.44±0.1
0.53±0.1
3.00±0.1
0.40±0.1
2.60±0.1
2.50±0.1
4.00±0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
*在氧化铝陶瓷基板值( 12.5 × 20 × 0.7mm)的
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
30
25
5
1
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
测试Conditons
30
25
5
0.1
0.1
85
240
0.3
1
240
22
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CB
= 250V ,我
B
=0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
V
CE
=2V,Ic=500mA
V
CE ( SAT )
I
C
= 0.8 A,I
B
= 80毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 0.8 A,I
B
= 80毫安
f
T
C
ob
V
CE
= 2V , IC = 500毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
h
FE
分类
记号
h
FE
AC
82½180
AD
120½240
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1