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型号: 2SC3545
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内容描述: 高增益带宽替代产品; FT = 2 000 MHz的典型。低集电极基时间 [High Gain Bandwidth Procuct; fT = 2 000 MHz TYP. Low Collector to Base Time]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 60 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC3545
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
b
低集电极基时间常数; ç
C
r
b’
= 4 ps的典型。
0.55
高增益带宽替代产品; ˚F
T
= 2 000 MHz的典型。
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
低反馈电容; CRE = 0.48 pF的典型。
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
15
3.0
50
150
125
-65到+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
集电极饱和电压
增益带宽积
输出电容
集电极基时间常数
符号
I
CBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 12 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 5.0毫安
50
100
典型值
最大
0.1
250
0.5
1.3
2.0
0.48
4
1.0
1.0
V
兆赫
pF
ps
单位
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1.0毫安
f
T
C
ob
V
CE
= 10 V,I
E
= -5.0毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
C
C
. r
b’
V
CE
= 10 V,I
E
= -5.0毫安, F = 31.9兆赫
b
h
FE
分类
记号
h
FE
T42
M / P
50 100
T43
L / Q
70 140
T44
ķ / R
120 250
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1