2SC3072 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC3072
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内容描述：	高直流电流增益。低集电极饱和电压。高功率耗散。 [High DC current gain. Low collector saturation voltage. High power dissipation.]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 50 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SC3072

TO-252

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

特点

高直流电流增益。

低集电极饱和电压。

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

1.50

-0.15

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

高功率耗散。

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流脉冲*

基极电流

集电极耗散功率

= 25

结温

储存温度

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

0.5

1.0

150

-55到+150

单位

*脉冲测试：脉冲宽度= 10毫秒（最大值），占空比= 30 ％（最大值）

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 20 V，I

= 0

= 8 V，I

= 0

140

1.0

1.5

100

兆赫

450

民

典型值

最大

100

单位

（ BR ） CEO

= 10 mA时，我

= 0

= 2 V，I

= 0.5A

= 2 V，I

= 4A

CE （SAT）

= 4 A，I

= 0.1 A

= 2 V，I

= 4 A

= 2 V，I

= 0.5 A

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

分类

记号

秩

的hFE

140 240

C3072

200 330

300 450

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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