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    2SB1125 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1125图片预览
    型号： 2SB1125
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高直流电流增益。大电流Capaity和魏某ASO集电极 - 基极电压VCBO -80 V [High DC Current gain. Large Current Capaity and wie ASO Collector-base voltage VCBO -80 V]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 3 页 / 200 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
     浏览型号2SB1125的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1125的Datasheet PDF文件第3页  
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SB1125
    特点
    高直流电流增益。
    大电流Capaity和魏某ASO
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -80
    -50
    -10
    -0.7
    -2
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    输出电容
    增益带宽积
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    I
    C
    = -10 A，I
    E
    = 0
    I
    C
    = -1mA ，R
    BE
    =
    I
    E
    = -10ìA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    = 0
    V
    CB
    = -8V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -50mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -500mA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -0.1mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -0.1mA
    C
    ob
    f
    T
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -50mA
    5000
    3000
    -0.8
    -1.3
    18
    200
    -1.2
    -2.0
    V
    V
    pF
    兆赫
    民
    -80
    -50
    -10
    -100
    -100
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    记号
    记号
    BH
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    10F中3

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