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型号: 2SA1745
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内容描述: 非常小尺寸的封装。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Very small-sized package. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 58 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SA1745
特点
非常小尺寸的封装。
低集电极 - 发射极饱和电压。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-20
-15
-5
-500
-1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
公共基础输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
V
CE ( SAT )
Testconditons
V
CB
= -15V ,我
E
= 0
V
EB
= -4V ,我
C
= 0
V
CE
= -2V ,我
C
= -10mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -50mA
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
I
C
= -5mA ,我
B
=-0.5mA
I
C
= -200mA ,我
B
=-10mA
V
BE ( SAT )
I
C
= -200mA ,我
B
=-10mA
V
( BR ) CBO
I
C
= -10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= -1mA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= -10ìA ,我
C
= 0
-20
-15
-5
135
400
6.5
-15
-200
-0.95
-35
-360
-1.2
典型值
最大
-0.1
-0.1
600
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
单位
nA
nA
h
FE
分类
记号
的hFE
5
135 270
ES
6
200 400
7
300 600
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1