2N60 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N60
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内容描述：	RDS（ON） = 3.8 VGS = 10V。低栅极电荷（典型值9.0 NC）。低的Crss （典型值5.0 pF的）。 [RDS(ON) = 3.8 VGS = 10V. Low gate charge ( typical 9.0 nC). Low Crss ( typical 5.0 pF).]
分类和应用：	栅极
文件页数/大小：	2 页 / 250 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

DIP型

SMD

TYPE

MOSFET

产品speci fi cation

2N60

特点

DS （ ON）

= 3.8 @V

= 10V.

低栅极电荷（典型值9.0 NC）。

低的Crss （典型值5.0 pF的）。

快速开关能力。

较高的雪崩能量

改进的dv / dt能力。

TO-220

1门

2漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续（T

= 25 )

-----------------

连续（T

= 100 )

漏电流 - 脉冲* 1

单脉冲雪崩能量* 2

雪崩电流* 1

重复性雪崩能量* 1

峰值二极管恢复的dv / dt * 3

功率耗散（T

= 25 )

--------

减免上述25

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

符号

DSS

GSS

dv / dt的

, T

英镑

θJC

θJA

等级

600

2.0

1.26

8.0

140

2.0

4.5

0.36

-55到+150

300

单位

V / ns的

* 1。重复评级：脉冲宽度有限的最高结温。

* 2， L = 64mH ，我

= 2.0A ，V

= 50V ，R

= 25 ，起始物为

= 25

* 3. I

2.4A ， di / dt的

200A / μs的，V

DSS

，起始物为

= 25

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

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