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型号: 2N5401
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内容描述: 开关和放大在高电压应用,如电话 [Switching and amplification in high voltage Applications such as telephony]
分类和应用: 晶体开关晶体管电话
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
DIP
TYPE
SMD型
SMD
TYPE
DIP型
晶体管
IC
晶体管
产品speci fi cation
2N5401
TO-92
特点
开关和放大高压
应用,如电话
低电流(最大600毫安)
高电压( max.150V )
1
2 3
1.发射器
2.基
3.收集
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
J
, T
英镑
等级
-160
-150
-5
-600
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
测试条件
-160
-150
-5
-50
-50
50
60
50
-0.5
-1.0
100
300
V
V
兆赫
240
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
( BR ) CBO
I
C
= -100
μA,
I
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= - 1.0毫安,我
B
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= -10
μA,
I
C
= 0
I
CBO
I
EBO
V
CB
= - 120 ​​V,I
E
= 0
V
EB
= -3.0 V,I
C
= 0
I
C
= -1.0毫安,V
CE
= -5 V
直流电流增益
h
FE
I
C
= -10毫安,V
CE
= -5 V
I
C
= -50毫安,V
CE
= -5 V
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
Transiston频率
V
CE ( SAT )
I
C
= -50毫安,我
B
= -5.0毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= -50毫安,我
B
= -5.0毫安
f
T
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA,f=30MHz
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1