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2N3904 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N3904
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内容描述: NPN硅外延平面晶体管的开关和放大器应用 [NPN silicon epitaxial planar transistor for switching and Amplifier applications]
分类和应用: 晶体开关放大器晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 66 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2N3904
特点
切换NPN硅外延平面晶体管和
扩增fi er应用
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
60
40
6
0.2
0.625
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
Collecto-基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
BO
Ic
EO
I
EBO
IC = 100 IA
IC = 1毫安
I
E
= 10 A
Testconditons
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
60
40
6
0.1
0.1
0.1
100
60
30
0.3
0.95
35
35
200
50
300
兆赫
ns
V
V
ns
300
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
A
V
CB
= 60 V,I
E
=0
V
CE
= 40 V,I
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
= 10毫安
直流电流增益
h
FE
V
CE
= 1V ,我
C
= 50毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 100毫安
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
V
CE ( SAT )
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
f
T
V
CC
=3.0V,V
BE
=-0.5V
I
C
=10mA,I
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CC
=3.0V,I
C
=10mA
I
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
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