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2SD2167 参数 Datasheet PDF下载

2SD2167图片预览
型号: 2SD2167
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内容描述: 内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。齐纳二极管具有低电压分散性。 [Built-in zener diode between collector and base. Zener diode has low voltage dispersion.]
分类和应用: 晶体二极管齐纳二极管晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 287 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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TransistIoCrs  
Product specification  
2SD2167  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
Min  
27  
27  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO IC=50ìA  
BVCEO IC=1mA  
BVEBO IE=50ìA  
V
V
ICBO  
IEBO  
VCB=20V  
VEB=5V  
1
1
ìA  
ìA  
V
Emitter cutoff current  
IC=2A, IB=0.2A  
1
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
IC=1A, IB=50mA  
0.25  
0.5  
270  
V
DC current transfer ratio  
Output capacitance  
Transition frequency  
hFE  
fT  
VCE=3V, IC=0.5A  
56  
VCE=3V, IE= -0.5A, f=30MHz  
VCB=10V, IE=0A, f=1MHz  
100  
25  
MHz  
pF  
Cob  
hFE Classification  
DL  
Marking  
Rank  
N
P
Q
hFE  
56 120  
82 180  
120 270  
http://www.twtysemi.com  
2 of 2  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123