2SC4519 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC4519
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内容描述：	采用FBET过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET process. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 106 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD Type

Transistors

Product specification

2SC4519

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Unit: mm

Features

+0.1

2.4

-0.1

Adoption of FBET process.

Low collector-to-emitter saturation voltage.

Fast switching speed.

Small-sized package.

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector current (pulse)

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

500

200

150

-55 to +150

Unit

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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