IC PDF资料下载 IC datasheet大全、在线预览-芯三七

GRM0225C1C7R4BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

SGM6019

1.2A, 1.6MHz, High Efficiency Synchronous Step-Down Converter

暂无信息

0 SGMICRO

GCJ31ML8YA474MA01#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]

医疗医疗器械

0 MURATA

采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极

0 INFINEON

GRM31MB11C155MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]

医疗医疗器械

0 MURATA

BD35395FJ-M

BD35395FJ-M是适用于JEDEC标准DDR1/2/3/3L-SDRAM的终端稳压器。内置N-MOSFET，漏型/源型最大可提供1A电流的线性电源。内部的OP-AMP采用高速设计，实现了优异的瞬态响应特性。为驱动内部的N-MOSFET，需要3.3V或5.0V偏压电源。为确保JEDEC规定的电压精度，本产品拥有独立的基准输入引脚（VDDQ）和独立的反馈引脚（VTTS），实现了优异的输出电压精度和负载调整率。Power Supply Reference BoardFor Xilinx’s FPGA Spartan-7

驱动动态存储器双倍数据速率稳压器

0 ROHM

TLF80511TC

TLF80511TC 是一款线性低压差稳压器，适用于具有固定输出电压（5V 和 3.3V），负载电流高达 400 mA 的 D²PAK、DPAK 和 DSO8-EP 封装。高达 40V 的输入电压调节为 V Q，nom 为 5V，精度为±2％。 TLF80511TC 的典型静态电流为38μA，对于需要极低工作电流的系统来说，它就是理想的解决方案，例如永久连接电池的系统。当输出电流小于 100mA 时，它具有 100mV 的极低压差。此外，压差区域始于输入电压为 3.3 V 时（扩展操作范围）。因此，TLF80511 适用于汽车系统。此外，TLF80511TC 的新型快速调节理念仅需一个 1μF 的输出电容即可保持电压稳定。

电池稳压器

0 INFINEON