XC2164系列
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
连续总功率
耗散
工作环境
温度
储存温度
符号
VDD
VIN
Pd
TOPR
TSTG
条件
VSS - 0.3〜 VSS + 7.0
VSS - 0.3〜 VDD + 0.3
250*
-40 ~ +85
-65 〜+ 150 （片表）
-55 〜+ 125 （ SOT- 26 ）
*当在玻璃环氧印刷电路板来实现（ SOT26封装）
集成电路与晶体振荡器的使用
二〇〇三年七月三十〇日版本。五
单位
V
V
mW
O
C
C
C
O
O
电气特性
XC2164A51M ， T，V基本
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
输出禁止泄漏电流
Rf
IOZ
/ INH = "L"
(*)
CMOS ： VDD = - 4.5V ， IOH = - 16毫安
CMOS ： VDD = 4.5V ， IOH = 16毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
(*)
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
0.5
25
3.9
4.2
0.3
11
11
5
5
1.0
50
35
20
35
20
3.5
10
MΩ
µA
pF
0.4
( 15 )
( 15 )
(8)
(8)
2.0
100
MΩ
kΩ
µA
5.0V操作（除非另有说明， VDD = 5.0V ，无负载，TA = 30 〜 + 80
O
C)
条件
分钟。
4.5
2.4
0.4
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
单位
V
V
V
V
V
mA
注1：对于CG的值，镉是设计值。
XC2164A51M基础
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
魔鬼的输出漏电流
Rf
IOZ
/ INH = "L"
(*)
(*)
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
CMOS ： 2.97V ， IOH = - 8毫安
CMOS ： 2.97V ， IOH = 8毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
1.0
35
5
4
2
2
2.0
70
35
20
35
20
7.0
10
MΩ
µA
pF
2.5
0.4
(8)
( 6.5 )
(4)
(4)
4.0
140
MΩ
kΩ
µA
3.3V操作（除非另有说明， VDD = 3.3V ，无负载，TA = 30 〜 + 80
O
C)
条件
分钟。
2.97
2.4
0.4
典型值。
3.30
马克斯。
3.63
单位
V
V
V
V
V
mA
*注1：对于CG ，镉的值是设计值。
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