XC2164系列
电气特性（续）
XC2164A51T ，V基本
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
魔鬼的输出漏电流
Rf
IOZ
(*)
(*)
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
集成电路与晶体振荡器的使用
3.3V操作（除非另有说明， VDD = 3.3V ，无负载，TA = 30 〜 + 80
O
C)
条件
分钟。
2.5
2.4
0.4
CMOS ： 2.97V ， IOH = - 8毫安
CMOS ： 2.97V ， IOH = 8毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
/ INH = "L"
1.0
35
5
4
2
2
2.0
70
35
20
35
20
7.0
10
MΩ
µA
pF
2.5
0.4
(8)
( 6.5 )
(4)
(4)
4.0
140
MΩ
kΩ
µA
典型值。
3.30
马克斯。
3.63
单位
V
V
V
V
V
mA
*注1：对于CG ，镉的值是设计值。
振荡频率随电源电压和负电阻值比较表（当300MHz的晶体被使用的设计值。 ）
符号
M
V
T
振荡频率与电源电压
VDD = 3.3 V ，
±10%
VDD = 5.0 V ，
±10%
±
4.3 PPM
±
1.2 PPM
±
9.4 PPM
±
4.5 PPM
±
2.1 PPM
±
7.0 PPM
负电阻值
VDD = 3.3V
- 130
Ω
- 150
Ω
- 660
Ω
VDD = 5.0V
- 220
Ω
- 250
Ω
- 760
Ω
5
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